FIB (Focused Ion Beam)
Definition: FIB (Focused Ion Beam) ist ein mikroskopisches Verfahren, bei dem ein fokussierter Ionenstrahl – meist Galliumionen – zur gezielten Materialabtragung oder -deposition eingesetzt wird. Es dient der hochpräzisen Probenpräparation und Mikrostrukturuntersuchung im Submikrometer- bis Nanometerbereich. Häufig wird FIB mit einem Rasterelektronenmikroskop (FIB-REM) kombiniert.
Relevanz für die Praxis: FIB ermöglicht die Erstellung lokaler Querschnitte, TEM-Lamellen oder 3D-Tomographien durch serielles Abtragen. Anwendungen finden sich in der Schadensanalyse, Halbleitertechnik, Beschichtungsbewertung und Werkstoffforschung. Entscheidend sind Strahlstrom, Beschleunigungsspannung und Minimierung von Ionenimplantation oder Strahlschäden.
Entscheidungsperspektiven:
- Technische Entscheider: Untersuchung lokaler Defekte, Grenzflächen und Mikrorisse mit hoher Ortsauflösung.
- Einkauf/Projektleitung: Beauftragung spezialisierter Analysen bei komplexen Schadens- oder Entwicklungsfragen.
- Wissenschaft: Präparation von TEM-Proben, 3D-Rekonstruktionen und nanoskalige Gefügeanalysen.
- Versicherung/Recht: Mikroskopische Beweissicherung bei materialtechnischen Streitfällen.
Typische Prüf- oder Nachweisverfahren: FIB-Querschnittsanalyse, TEM-Lamellenpräparation, 3D-FIB-Tomographie, Kombination mit EDX oder EBSD.
FAQ:
- Wofür wird ein FIB-System eingesetzt?
- Zur hochpräzisen Probenpräparation, lokalen Gefügeanalyse und Untersuchung nanoskaliger Defekte.